Ciclo de operacion de la memoria 6116
CECYT 3 Estanislao Ramírez Ruiz
"Ciclo de operación de la memoria 6116"Circuitos Lógicos Secuenciales
4IM10Integrantes:
Chávez Reyes Jesús AlexisResendiz Mendez Angel AlbertoSantiago Guerrero Isaac AlejandroSánchez Fernández Sergio AntonioUbaldo García Juan Alexis
Cantidad de líneas de datos del CI6116
Este
circuito cuenta con una capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una
memoria de acceso aleatorio (RAM), es una memoria estática de alta velocidad.
Cantidad de líneas de direcciones
(cantidad de registros dirección final e inicial en hexadecimal)
El
CI6116 posee 11 líneas de dirección en el cual 000 (0) es la primera línea de
dirección en hexadecimal y 7FF (2047) es la ultima línea de dirección
211=
2048 direcciones.
Densidad de memoria
Esta
se calcula con la densidad de memoria la cual es igual al número de registros y
este se multiplica por el ancho de entrada. El resultado sería igual a 16384
bits.
Niveles de operación
Este
consta únicamente de 2 niveles de operación los cuales son:
- De
escritura: Aplicando un nivel alto en el terminal (WE) y
un nivel bajo en (CS)', y cuando el terminal (OE) 'esté en un nivel bajo, se
leerán los datos del dispositivo. A través de estas conexiones, está dispuesto
La memoria RAM 6116 se puede leer si se coloca un nivel alto en el terminal
(OE) '. Y / o las líneas de E / S (CS) y / o el captador 6116 se colocan
respectivamente en un estado de alta impedancia. (OE) 'El terminal habilita la
salida, o la pone en un estado de alta impedancia, que se puede habilitar cada
vez que el microprocesador necesita leer la memoria
- De
lectura: Aplicando un nivel bajo al terminal (WE) ', un nivel bajo a (CS)' y un nivel alto o bajo al terminal (OE) ', los datos se escriben en el dispositivo. El terminal (WE) 'habilita al terminal de E / S de la memoria RAM 6116 para recibir información cuando está activo. En estas condiciones, el terminal (OE)' tiene la opción de ser colocado en un estado alto o bajo para realizar un operación de escritura.
Tabla de Direcciones:
Video Memoria Cl6116: https://www.youtube.com/watch?v=NPGAFYS3IFw
4IM10
Chávez Reyes Jesús Alexis
Cantidad de líneas de datos del CI6116
Este
circuito cuenta con una capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una
memoria de acceso aleatorio (RAM), es una memoria estática de alta velocidad.
Cantidad de líneas de direcciones (cantidad de registros dirección final e inicial en hexadecimal)
El
CI6116 posee 11 líneas de dirección en el cual 000 (0) es la primera línea de
dirección en hexadecimal y 7FF (2047) es la ultima línea de dirección
211=
2048 direcciones.
Densidad de memoria
Esta
se calcula con la densidad de memoria la cual es igual al número de registros y
este se multiplica por el ancho de entrada. El resultado sería igual a 16384
bits.
Niveles de operación
Este consta únicamente de 2 niveles de operación los cuales son:
- De escritura: Aplicando un nivel alto en el terminal (WE) y un nivel bajo en (CS)', y cuando el terminal (OE) 'esté en un nivel bajo, se leerán los datos del dispositivo. A través de estas conexiones, está dispuesto La memoria RAM 6116 se puede leer si se coloca un nivel alto en el terminal (OE) '. Y / o las líneas de E / S (CS) y / o el captador 6116 se colocan respectivamente en un estado de alta impedancia. (OE) 'El terminal habilita la salida, o la pone en un estado de alta impedancia, que se puede habilitar cada vez que el microprocesador necesita leer la memoria
- De lectura: Aplicando un nivel bajo al terminal (WE) ', un nivel bajo a (CS)' y un nivel alto o bajo al terminal (OE) ', los datos se escriben en el dispositivo. El terminal (WE) 'habilita al terminal de E / S de la memoria RAM 6116 para recibir información cuando está activo. En estas condiciones, el terminal (OE)' tiene la opción de ser colocado en un estado alto o bajo para realizar un operación de escritura.
Tabla de Direcciones:
Video Memoria Cl6116:
https://www.youtube.com/watch?v=NPGAFYS3IFw
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